DDR-Transistordaten-Silizium





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	Elektronik Transistoren

	DDR-Transistordaten (Silizium)


	<überarbeitet 20.12.08

Kollektor-Emitter-Spannung (bei offener Basis)	U_CE0	Basisstrom	I_B
Kollektor-Basis-Spannung (bei offenem Emitter)	U_CB0	Gesamtverlustleistung (J_U= 25°C)	P_tot
Emitter-Basis-Spannung (bei offenem Kollektor)	U_EB0	Sperrschichttemperatur	J_j
Kollektorstrom	I_C	Umgebungstemperatur	J_U
Kollektor-Spitzenstrom	I_CM	Übergangsfrequenz h_21e	f_T
Kollektor-Emitter-Spannung mit Widerstand zw. B-E	U_CER

Alle Angaben ohne Gewähr!!

Si-npn-Planar-Transistoren für NF-Vor- und Treiberstufen
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	Rauschfaktor (typ)	I_B	P_tot	J_j	J_U
SC 206	20V	15V	5V	100mA	16dB	10mA	200mW	125°C	-40... 100°C
SC 207	20V	15V	5V	100mA	5,6dB	10mA	200mW	125°C	-40... 100°C

Si-npn-Transistoren als NF-Vor- und Treiberstufen
Grenzwerte* Kennlinien	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	Rauschfaktor (typ)	I_B	P_tot	J_j	J_U
SC 236	20V	30V	5V	100mA	20dB	10mA	200mW	125°C	-40... 100°C
SC 237	45V	50V	5V	100mA	5,5dB	10mA	200mW	125°C	-40... 100°C
SC 238	20V	30V	5V	100mA	5,5dB	10mA	200mW	125°C	-40... 100°C
SC 239	20V	30V	5V	100mA	3,5dB	10mA	200mW	125°C	-40... 100°C

Si-npn-Niederfrequenztransistoren für den universellen Einsatz
Grenzwerte* Kennlinien	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	Rauschfaktor (typ)	I_C	P_tot	J_j	J_U
SCE 237	45V	50V	5V	100mA	10 dB	100mA	150mW	150°C	-55... 125°C
SCE 238	20V	30V	5V	100mA	10 dB	100mA	150mW	150°C	-55... 125°C
SCE 239	20V	30V	5V	100mA	1,5 dB	100mA	150mW	150°C	-55... 125°C

Si-npn-Transistoren als NF-Vor- und Treiberstufen
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	Rauschfaktor (max)	I_B	P_tot	J_j	J_U
SC 307	45V	50V	6V	100mA	8dB	50mA	250mW	150°C	-40... 150°C
SC 308	25V	30V	5V	100mA	8dB	50mA	250mW	150°C	-40... 150°C
SC 309	25V	30V	5V	100mA	4dB	50mA	250mW	150°C	-40... 150°C


	Alle Angaben ohne Gewähr!!

Si-pnp-Transistoren als mittelschneller Schalter und Breitbandverstärkung
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SF 116	20V	20V	5V	500mA	1A	250mA	600mW	200°C	-40... 125°C
SF 117	30V	30V	5V	500mA	1A	250mA	600mW	200°C	-40... 125°C
SF 118	60V	60V	5V	500mA	1A	250mA	600mW	200°C	-40... 125°C
SF 119	80V	80V	5V	500mA	1A	250mA	600mW	200°C	-40... 125°C

Si-npn-Transistoren als mittelschneller Schalter und Breitbandverstärkung
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SF 126	20V	33V	7V	500mA	1A	250mA	600mW	175°C	-40... 125°C
SF 127	30V	66V	7V	500mA	1A	250mA	600mW	175°C	-40... 125°C
SF 128	60V	100V	7V	500mA	1A	250mA	600mW	175°C	-40... 125°C
SF 129	80V	120V	7V	500mA	1A	250mA	600mW	175°C	-40... 125°C

Si-npn-Transistoren für Breitband-, NF- und HF-Verstärker
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SF 131	12V	20V	5V	50mA		10mA	300mW	175°C	-40... 125°C
SF 132	15V	40V	5V	50mA		10mA	300mW	175°C	-40... 125°C

Si-npn-Transistoren für HF-Verstärker
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SF 136	12V	20V	5V	200mA		20mA	300mW	175°C	-40... 125°C
SF 137	20V	40V	5V	200mA		20mA	300mW	175°C	-40... 125°C

Alle Angaben ohne Gewähr!!

Si-npn-Transistoren für den Einsatz in Video-Endstufen
Grenzwerte*	U_CER (1kW)	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SF 150	160V	160V	5V	50mA		10mA	680mW	175°C	-40... 125°C

Si-npn-Transistoren für analoge Anwendungen inHF-Verstärker und HF-Oszillatoren bis 100MHz
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SF 215	15V	20V	5V	100mA		10mA	200mW	125°C	-40... 100°C
SF 216	20V	40V	5V	100mA		10mA	200mW	125°C	-40... 100°C

Si-npn-Transistoren für HF-Verstärker, LMK-, Vor- und ZF-Stufen
Grenzwerte* Kennlinien	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SF 225	25V	40V	4V	25mA		25µA	200mW	125°C	-40... 100°C


	Alle Angaben ohne Gewähr!!

Si-npn-Transistor für UKW-Vorstufen
Grenzwerte* Kennlinien	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SF 235	25V	40V	4V	25mA		35µA	200mW	125°C	-40... 100°C

Si-npn-Transistor für Video-ZF-Verstärkerstufen
Grenzwerte* Kennlinien	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SF 240	30V	40V	4V	25mA		1,7mA	160mW	125°C	-40... 100°C

Si-npn-Transistor für Video-ZF-Verstärkerstufen
Grenzwerte* Kennlinien	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SF 245	25V	40V	4V	25mA		185µA	200mW	125°C	-40... 100°C

Si- npn- Hochfrequenztransistoren für HF - Verstärker in Emitterschaltung
Grenzwerte* Kennlinien)	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SFE 225)¹	25V	40V	4V	25mA		25µA	150mW	150°C	-55... 125°C
SFE 235)²	25V	40V	4V	25mA		35µA	150mW	150°C	-55... 125°C
SFE 245)³	25V	40V	4V	25mA		185µA	150mW	150°C	-55... 125°C

Si-npn-Transistoren mittlerer Leistung für allgemeine NF-Anwendungen
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SD 335	45V	45V	5V	1,5A	2A	200mA	12,5W	150°C	-55... 125°C
SD 337	60V	60V	5V	1,5A	2A	200mA	12,5W	150°C	-55... 125°C
SD 339	80V	80V	5V	1,5A	2A	200mA	12,5W	150°C	-55... 125°C

Si-pnp-Transistoren mittlerer Leistung für allgemeine NF-Anwendungen
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SD 336	45V	45V	5V	1,5A	2A	200mA	12,5W	150°C	-55... 125°C
SD 338	60V	60V	5V	1,5A	2A	200mA	12,5W	150°C	-55... 125°C
SD 340	80V	80V	5V	1,5A	2A	200mA	12,5W	150°C	-55... 125°C

Si-npn-Leistungstransistoren für allgemeine NF-Anwendungen; Komplementärtypen zu SD 346, SD 348, SD 350 (Daten wie hier in pnp)
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SD 345	45V	45V	5V	3A	6A	1A	20W	150°C	-55... 125°C
SD 347	60V	60V	5V	3A	6A	1A	20W	150°C	-55... 125°C
SD 349	80V	80V	5V	3A	6A	1A	20W	150°C	-55... 125°C


	Alle Angaben ohne Gewähr!!

Schneller Si-npn- Transistoren für digitale Anwendungen
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SS 106	15V	25V	5V	200mA			300mW	175°C	-40... +125°C
SS 108	15V	40V	5V	200mA			300mW	175°C	-40... +125°C
SS 109	15V	20V	5V	200mA			300mW	175°C	-40... +125°C

Si-npn-Transistoren zur Ansteuerung von Ziffernanzeigeröhren
Grenzwerte* Kennlinien	U_CEV	U_CB0	U_EB0	I_C		I_B	P_tot	J_j	J_U
SS 200	70V	70V	5V	30mA		10mA	150mW	100°C	-40... +85°C
SS 201	100V	100V	5V	30mA		10mA	150mW	100°C	-40... +85°C
SS 202	120V	120V	5V	30mA		10mA	150mW	100°C	-40... +85°C

Si-npn-Transistoren für digitale Anwendungen
Grenzwerte* Kennlinien )	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SS 216 )¹	15V	20V	5V	100mA	200mA	20mA	200mW	125°C	-40... +100°C
SS 218 )²	15V	20V	5V	100mA	200mA	20mA	200mW	125°C	-40... +100°C
SS 219 )³	15V	20V	5V	100mA	200mA	20mA	200mW	125°C	-40... +100°C

Si-npn-Transistoren für den Einsatz als Schalttransistor in digitale Anwendungen
Grenzwerte*	U_CE0	U_CB0	U_EB0	I_C	I_CM	I_B	P_tot	J_j	J_U
SSY 20	40V	60V	5V	600mA	700mA	100mA	700mW	175°C	-40... +125°C


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© Torsten Bubbe


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