Elektronik Transistoren

Kollektor-Emitter-Spannung (bei offener Basis)

U_CE0

Basisstrom

I_B

Kollektor-Basis-Spannung (bei offenem Emitter)

U_CB0

Gesamtverlustleistung (J_U = 25°C)

P_tot

Emitter-Basis-Spannung (bei offenem Kollektor)

U_EB0

Sperrschichttemperatur

J_j

Kollektorstrom

I_C

Umgebungstemperatur

J_U

Kollektor-Spitzenstrom

I_CM

Übergangsfrequenz h_21e

f_T

Kollektor-Emitter-Spannung mit Widerstand zw. B-E

U_CER

Si-npn-Epitaxial-Planar-Transistoren (Kollektor am Gehäuse)

Grenzwerte*

U_CE0

U_CB0

U_EB0

I_C

I_CM

I_BM

P_tot

J_j

J_U

BC 107

45V

50V

6V

100mA

200mA

200mA

300mW

175°C

-65... +150°C

BC 108

20V

30V

5V

100mA

200mA

200mA

300mW

175°C

-65... +150°C

BC 109B 

20V

30V

5V

100mA

200mA

200mA

300mW

175°C

-65... +150°C

Si-pnp-Epitaxial-Planar-Transistoren

Grenzwerte*

U_CE0

U_CB0

U_EB0

I_C

I_CM

I_BM

P_tot

J_j

J_U

BSV 15

40V

40V

5V

1A

2A

200mA

5W

219°C

-65... +200°C

BSV 16-10

60V

60V

5V

1A

2A

200mA

5W

219°C

-65... +200°C

BSV 17

80V

90V

5V

1A

2A

200mA

5W

219°C

-65... +200°C

Si-npn-Epitaxial-Planar-Transistoren

Grenzwerte*

U_CE0

U_CB0

U_EB0

I_C

I_CM

I_BM

P_tot

J_j

J_U

BC 171

45V

50V

6V

100mA

300mW

150°C

-65... +150°C

BC 172

25V

25V

5V

100mA

300mW

150°C

-65... +150°C

BC 173

25V

25V

5V

100mA

300mW

150°C

-65... +150°C

Si-npn-RF-Transistoren für AM und FM 

Grenzwerte*

U_CE0

U_CB0

U_EB0

I_C

I_CM

f_T

P_tot

J_j

J_U

BF 254

20V

30V

5V

30mA

260MHz

250mW

150°C

-65... +150°C

BF 255

20V

30V

5V

30mA

220MHz

250mW

150°C

-65... +150°C

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© Torsten Bubbe